物理光學(xué)綜合實驗  型號：RLE-ME03

是光學(xué)與光學(xué)工程專業(yè)的主要理論基礎(chǔ)，本實驗以光的波動性為主要研究對象，從電磁波理論和傅里葉分析兩個角度，研究光的傳播、干涉、衍射、偏振等性質(zhì)。RealLight®應(yīng)用新一代空間光調(diào)制器(SLM)，從波的疊加原理出發(fā)研究光的干涉規(guī)律，討論光的相干性；圍繞衍射闡述光的波動性，運用SLM模擬二元光學(xué)元件，從實際出發(fā)研究光的衍射；研究光在晶體中的傳播特性和偏振元件對光的作用。本實驗是緊貼光電專業(yè)《工程光學(xué)》等相關(guān)課程的專業(yè)配套實驗。

實驗內(nèi)容

1、楊氏雙縫干涉實驗；

2、馬赫-曾德干涉實驗；

3、菲涅爾衍射實驗（圓孔、矩孔、三角形、多邊形孔）；

4、夫瑯禾費衍射實驗（圓孔、矩孔、三角形、多邊形孔）；

5、衍射光學(xué)元件（DOE）設(shè)計；

6、偏振光產(chǎn)生與檢驗（線偏振、圓偏振、橢圓偏振）                          

7、馬呂斯定律驗證實驗；           

8、波片與偏振光實驗（左旋偏振光、右旋偏振光）                            

9、偏振干涉實驗（波片的快軸、慢軸）

物理光學(xué)綜合實驗

產(chǎn)品名稱：雜質(zhì)濃度測試儀 產(chǎn)品型號： KDB-1A

產(chǎn)品簡介 
原理：根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系，可直接測量、計算出晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度。  
范圍：它適合于測量橫截面尺寸是可測量的，而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。  
用途：根據(jù)測量沿錠長雜質(zhì)濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分，通過雜質(zhì)濃度的直接測量，決定晶體生長過程中的摻雜數(shù)量。  
樣品可在常溫或低溫下測量。  
顯示方式：儀器連接PC機，通過測試軟件計算，用對數(shù)坐標的方式來顯示雜質(zhì)濃度（含次方數(shù)）沿錠長的分布曲線，可對曲線圖進行打印和保存。  
測量范圍： 可測晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm。  
直流數(shù)字電壓表測量范圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。

產(chǎn)品名稱：材料高溫綜合物性測試儀 產(chǎn)品型號： SQW-II-14

材料高溫綜合物性測試儀型號： SQW-II-14

 本儀器無機金屬材料高溫、常溫綜合性能的測定，也模擬液態(tài)金屬向鑄型中澆注的真況所進行的造型混合料高溫性能試驗。  
    本儀器主要是供科研單位，高等工科院校和工廠試驗測量無機非金屬材料、造型混合料高溫性能之用，主要可在室溫～1400℃范圍內(nèi)作下列試驗。  
    高溫下試樣的熱膨脹、 高溫抗壓強度、試樣的熱膨脹力、固定載荷下試樣的熱變形、殘留強度、常溫抗壓強度。  
    主要技術(shù)參數(shù)  
    1．試樣標準：Ф30×50㎜圓椎體。  
    2．負荷范圍：0～28.29MP（0～2000㎏）。  
    3．測定變形范圍：0～±5㎜顯示分辯0.01㎜。  
    4．加熱溫度范圍：正常工作溫度≥室溫～1350℃，短時間達1400℃  
    5．測力精度：＜±1%FS。  
    6．測變形精度＜±1%FS。  
    7．升溫速度：用戶設(shè)定，等速升溫，程序控制，兩個程序段。  
    8．硅碳管高溫爐參數(shù):爐堂尺寸Ф50㎜。電爐功率2.5kw。  
    9．加載速度：0.8～8㎜/分  手動調(diào)節(jié)。  
    10．儀器主體：長×寬×高=720×500×1644㎜； 控制柜：臺式、立式兩種；  
    11．整機重：500㎏；整機功耗：＜3kw。  
    12．工作條件。環(huán)境溫度：0～40℃  相對濕度＜85﹪RH。電源：交流單相220V±10﹪50HZ。無強磁干擾，無強列振動，無腐蝕氣體，要求供電系統(tǒng)可靠接地。  
    13. 可上網(wǎng)實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)在線遠程技術(shù)支持及遠程測控和傳輸